VD-MOS- 广东纽航电子科技有限公司

VD-MOS

高压平面MOS管（VD-MOS）是电力电子系统中的关键器件，通过增加漂移区（Drift Region）长度和优化掺杂浓度，耐压可达 600V~1500V（典型如:600V、650V、700V）,但需平衡耐压与导通电阻（Rds(on)）的折衷。使用RESURF（降低表面电场）技术或改进元胞结构，部分缓解导通电阻与耐压的矛盾。VD-MOS通常具备一定雪崩能量(UIS)耐受能力，但需通过降额设计保障安全性。寄生电容和反向恢复问题限制了高频应用（如>100kHz）。随着SiC和GaN器件的发展，VD-MOS正逐渐向更高效率、高频化需求较低的场景集中，但在中高压、中低频应用中仍具有不可替代的成本优势。

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Product Name	Package	Channel	With ESD	Config.	VDS(V) max.	Pd (W)	VGS(V) max.	ID(A) max.	VGS(th)(V) min.	VGS(th)(V) max.	Rds(on)(Ω) @Vgs=10V typ.	Rds(on)(Ω) @Vgs=10V max.	Ciss(pF) typ.	Coss(pF) typ.	Crss(pF) typ.	Qg(nC) typ.	Qgs(nC) typ.	Qgd(nC) typ.	TJ(℃)	Status
NPS30N20F	TO-220F	N	No	Single	200	42	±30	30	2	4	0.065	0.08	1950	300	25	39	13	14	150	Active
NPS30N20C	TO-220C	N	No	Single	200	151	±30	30	2	4	0.065	0.08	1950	300	25	39	13	14	150	Active
NPS30N20D	TO-263	N	No	Single	200	151	±30	30	2	4	0.065	0.08	1950	300	25	39	13	14	150	Active
NPS40N20F	TO-220F	N	No	Single	200	43	±30	40	2	4	0.054	0.065	2520	390	29	46	16	19	150	Active
NPS40N20C	TO-220C	N	No	Single	200	43	±30	40	2	4	0.054	0.065	2520	390	29	46	16	19	150	Active
NPS40N20D	TO-263	N	No	Single	200	189	±30	40	2	4	0.054	0.065	2520	390	29	46	16	19	150	Active
NPS50N20F	TO-220F	N	No	Single	200	45	±30	50	2	4	0.042	0.05	2819	390	34	50	13	18	150	Active
NPS50N20C	TO-220C	N	No	Single	200	250	±30	50	2	4	0.042	0.05	2819	390	34	50	13	18	150	Active
NPS50N20D	TO-263	N	No	Single	200	250	±30	50	2	4	0.042	0.05	2819	390	34	50	13	18	150	Active
NPS12N65F	TO-220F	N	No	Single	650	42	±30	12	2	4	0.62	0.7	2060	164	10	40	10	15	150	Active
NPS13N50F	TO-220F	N	No	Single	500	42	±30	13	2	4	0.385	0.5	1960	190	10	40	9	13	150	Active
NPS16N65F	TO-220F	N	No	Single	650	42	±30	16	2	4	0.48	0.6	2440	200	11	50.4	11	21	150	Active
NPS20N65F	TO-220F	N	No	Single	650	45	±30	20	2	4	0.4	0.5	2990	320	20	58	14	23	150	Active
NPS18N50F	TO-220F	N	No	Single	500	43	±30	18	2	4	0.3	0.38	1960	195	11	40	10	15	150	Active
NPS2N60S	TO-252	N	No	Single	600	35	±30	2	2	4	4.2	5	335	35	6	10	1.6	5	150	Active
NPS4N65S	TO-252	N	No	Single	650	75	±30	4	2	4	2.3	2.8	571	56	12	15.5	3	6.8	150	Active
NPS4N70S	TO-252	N	No	Single	700	100	±30	4	2	4	2.5	2.8	600	50	13	14	3	4.5	150	Active
NPS7N65S	TO-252	N	No	Single	650	104	±30	7	2	4	1.2	1.5	1145	96.2	5.5	24	5.6	8.7	150	Active
NPS8N50S	TO-252	N	No	Single	500	100	±30	8	2	4	0.7	0.9	1135	110	7	24	5	9	150	MP

MOSFET

小信号MOS
低压MOS (20V-85V)
中压MOS（100-200V)

高压MOS（200-900V)
VD-MOS SJ-MOS

N+P-MOS(12-300V)
Dual N-Channel MOS Dual P-Channel MOS (N+P)-Channel MOS Half-bridge MOS

VD-MOS SJ-MOS

Dual N-Channel MOS Dual P-Channel MOS (N+P)-Channel MOS Half-bridge MOS

可控硅

双向可控硅
单向可控硅

二极管

标准整流二极管
快恢复二极管
高效二极管
超快恢复二极管
肖特基二极管
开关二极管
稳压管二极管
光伏二极管

桥式整流器

标准桥式整流器
快恢复桥式整流器
LOW VF桥式整流器
肖特基桥式整流器
逆变桥式整流器
高雷击桥式整流器

三极管

小信号三极管
功率型三极管

防护器件

瞬态电压抑制二极管（TVS)
静电保护二极管（ESD)
晶闸管浪涌抑制器（TSS)

IGBT

IGBT单管
IGBT模块

SiC

SiC-二极管
SiC-MOS管

GaN

GaN-MOS管

IPM

光伏模块

稳压电路

低压差线性稳压器（LDO)
并联式电压基准
三端线性稳压器

4英寸

GPP-STD Die
GPP-FRD Die
GPP-HRD Die
GPP-SFD Die

5英寸

GPP-STD Die
GPP-FRD Die
GPP-HRD Die
GPP-SFD Die