中压MOS（100-200V)- 广东纽航电子科技有限公司

中压MOS（100-200V)

中压功率MOS管(Medium-Voltage Power MOSFET) 通常指耐压范围在100V~200V之间的功率MOS器件，广泛应用于工业电源、新能源系统、电机驱动等场景。其特性介于低压MOS管（<100v）和高压mos管（>200V）之间，在效率、成本和性能上实现平衡。主要为SGT芯片工艺产品。中压功率MOS管凭借耐压与导通电阻的平衡、适中的开关性能和成熟的硅基工艺，在工业、新能源及汽车电子中占据重要地位。其设计需重点关注Rds(on)-Qg折衷、热管理和系统效率优化。随着SiC和GaN技术的成本下降，中压领域将逐步向宽禁带器件过渡，但硅基超级结MOS管在中低成本、高可靠性场景中仍具竞争力。

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Product Name	Package	Channel	With ESD	Config.	VDS(V) max.	Pd (W)	VGS(V) max.	ID(A) max.	VGS(th)(V) min.	VGS(th)(V) max.	Rds(on)(mΩ) @Vgs=10V typ.	Rds(on)(mΩ) @Vgs=10V max.	Ciss(pF) typ.	Coss(pF) typ.	Crss(pF) typ.	Qg(nC) typ.	Qgs(nC) typ.	Qgd(nC) typ.	TJ(℃)	Status
NSH045N100C	TO-220C	N	No	Single	100	227	±20	120	2	4	4.5	5.5	4500	970	30	90	28	19	150	Active
NSH045N100P5	PDFN5*6	N	No	Single	100	179	±20	120	2	4	4.5	5.5	4500	970	30	90	28	19	150	Active
NSH045N100S	TO-252	N	No	Single	100	83	±20	120	2	4	4.5	5.5	4500	970	30	90	28	19	150	Active
NSH110N15P5	PDFN5*6	N	No	Single	150	114	±20	65	2	4	11	13	1850	240	6	25	11	4	150	MP
NSH110N15D	TO-263	N	No	Single	150	184	±20	82	2	4	11	13	1850	240	6	25	11	4	150	MP
NSH110N15C	TO-220C	N	No	Single	150	184	±20	82	2	4	11	13	1850	240	6	25	11	4	150	MP
NSH079N15D	TO-263	N	No	Single	150	273	±20	113	2	4	7.9	8.8	4300	330	12	50	20	5	150	MP
NSS085N100P5	PDFN5*6	N	No	Single	100	125	±20	76	1	3	8.5	10.2	1921	500	35	40	9	10	150	Active
NSS085N100S	TO-252	N	No	Single	100	42	±20	76	1	3	8.5	10.2	1921	500	35	40	9	10	150	Active
NSS085N100C	TO-220C	N	No	Single	100	83	±20	76	1	3	8.5	10.2	1921	500	35	40	9	10	150	Active
NSH079N15C	TO-220C	N	No	Single	150	273	±20	113	2	4	7.9	8.8	4300	330	12	50	20	5	150	MP
NSH079N15P5	PDFN5*6	N	No	Single	150	147	±20	83	2	4	7.9	8.8	4300	330	12	50	20	5	150	MP

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