氮化镓（GaN）是一种第三代半导体材料，具有优异的物理和化学特性，广泛应用于电力电子、光电子和射频器件等领域。 宽禁带（Wide Bandgap）、高电子饱和速度、高击穿场强、优异的热导率、直接带隙结构以及抗辐射能力是其最主要的特性，氮化镓的独特性能使其成为突破传统半导体瓶颈的关键材料，未来将在高效能源转换和高速通信领域持续发挥重要作用。
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