SiC-二极管- 广东纽航电子科技有限公司

碳化硅（SiC）二极管是一种基于宽禁带半导体材料的功率器件，与传统的硅（Si）二极管相比，具有高击穿电场与耐压能力;高温工作能力;超快开关速度;低导通损耗;抗辐射与可靠性等优越特性。碳化硅二极管凭借其高压、高温、高频和高效率特性，正在逐步替代硅基器件，成为下第三代电力电子系统的核心元件，尤其在高性能要求的领域（如电动汽车、可再生能源）中展现显著优势。

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第三代半导体

SiC

SiC-二极管

SiC-二极管

碳化硅（SiC）二极管是一种基于宽禁带半导体材料的功率器件，与传统的硅（Si）二极管相比，具有高击穿电场与耐压能力;高温工作能力;超快开关速度;低导通损耗;抗辐射与可靠性等优越特性。碳化硅二极管凭借其高压、高温、高频和高效率特性，正在逐步替代硅基器件，成为下第三代电力电子系统的核心元件，尤其在高性能要求的领域（如电动汽车、可再生能源）中展现显著优势。

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