超级结（SJ=Super Junction）MOSFET是一种针对高压、大功率应用优化的功率半导体器件，其核心特性在于通过特殊的结构设计平衡了高耐压和低导通电阻之间的矛盾。交替P/N柱结构：在传统MOSFET的漂移区（Drift Region）中，采用交替排列的P型柱和N型柱（电荷补偿结构），取代了传统单一掺杂的漂移层。电荷平衡原理：关断时，P/N柱通过电荷补偿形成横向电场，显著降低漂移区电阻，同时保持高耐压能力。关键电气特性:低导通电阻（RDS），高击穿电压（BV），快速开关性能，优良的雪崩耐量。
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