Dual N-channel MOSFET(双N沟道MOSFET)是一种集成两个独立N沟道MOSFET的半导体器件,通常采用对称设计以实现互补控制或并联增强性能。其特性结合了单N沟道MOSFET的优势,同时在集成度、驱动效率和系统可靠性方面有显著提升。两个N沟道MOSFET共享同一封装(如PDFN3*3),通常具有独立的栅极、漏极和源极引脚,便于并联或分时控制。双管共享散热路径,需通过封装设计(如裸露焊盘)优化热阻(RθJC)。

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Dual N-Channel MOS
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       Dual N-channel MOSFET(双N沟道MOSFET)是一种集成两个独立N沟道MOSFET的半导体器件,通常采用对称设计以实现互补控制或并联增强性能。其特性结合了单N沟道MOSFET的优势,同时在集成度、驱动效率和系统可靠性方面有显著提升。两个N沟道MOSFET共享同一封装(如PDFN3*3),通常具有独立的栅极、漏极和源极引脚,便于并联或分时控制。双管共享散热路径,需通过封装设计(如裸露焊盘)优化热阻(RθJC)。

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