低压功率MOS管 (Low-Voltage Power MOSFET) 是专为低电压（通常<100V）、大电流场景设计的功率器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护等场景。其特性围绕低导通损耗、高频开关性能和热管理优化，分为Trench和SGT两种芯片工艺产品。Trench工艺产品EAS能力强，Qg相对略大，内阻适中，主要应用于冲击电流较大的扬合。 SGT工艺产品EAS能力相对较弱，但Qg很小。低压功率MOS管凭借极低导通损、高频性能和高可靠性，成为现代高效电能转换的核心元件。其设计需重点关注Rds(on)-Qg折衷、热管理和驱动匹配。随着GaN技术的成熟，低压功率MOS管正朝着更高频、更高功率密度的方向发展，但硅基MOS管在中低成本、高可靠性场景中仍占据主导地位。
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